（原标题：当代场效应管之父，鼓励晶体管翻新）

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诚然第一个不错责任的 FET 直到 1945 年才出现，但这一念念法早在近 20 年前就出现在朱利叶斯·埃德加·利利菲尔德（Julius Edgar Lilienfeld）的一项专利中。

尽管从未制造过物理原型，但朱利叶斯·埃德加·利利菲尔德在鼓励往日半导体时间冲破方面说明了决定性作用。他于 1925 年提交的专利被庸碌罗致为宇宙上第一个场效应晶体管 (FET) 的表面成见，而场效应晶体管是险些通盘电子勾引的要津组件。

量子表面家马克斯·普朗克的学生

利利菲尔德 1882 年诞生于奥匈帝国伦贝格（现乌克兰利沃夫），在柏林弗里德里希威廉大学（现洪堡大学）攻读物理学，师从量子表面的要津东谈主物马克斯·普朗克。利利菲尔德于 1905 年获取博士学位。这一年不错说是物理学史上最具变革性的一年，阿尔伯特·爱因斯坦发表了一系列论文，从根柢上改造了东谈主们对空间、时候、质地和能量的看法。

获取博士学位后，利利菲尔德初始在莱比锡大学物理讨论所担任非终生造就。他早期的责任要点是真空放电的物理学，并很快初始发表干系辉光放电特色和高输出低压汞灯的论文。诚然这项责任不是该讨论所的法子，但利利菲尔德的责任得到了盛名德国物理学家奥托·维纳的支抓。

从 1910 年起，利利菲尔德对真空中金属电极之间的放电进行了进攻的早期讨论。他匡助细目了场电子辐射（即电子在电场下从固体名义逸出的历程）是一种私有的物理花式，他称之为“自电子辐射”。今天，这被称为场电子辐射。这些不雅察其后成为表面模子开发的基甘愿趣。

为 FET 创新铺平谈路的专利

1912 年至 1931 年间，利利菲尔德开发了多项专利。他的第一项专利描画了一种 X 射线管，该管从热灯丝辐射的电子中产生 X 射线。1914 年，这项专利经过更正，他恳求了第二项专利，即伦琴射线管。

可是，利利菲尔德最为东谈主所知的可能是他的专利，该专利描画了一种与当代 FET 十分同样的安设。该专利描画了一种使用硫化铜半导体材料的三电极结构。具体来说，它珍重证明了：

两个高超停止的金属电极之间酿成一层“单向导电”薄膜

位于两个电极之间的第三个电极用于施加静电力来遏抑电流

利利菲尔德提议用硫化铜手脚半导体薄膜的相宜化合物，并描画了几种千里积秩序，包括真空溅射。该安设表面上筹画为通过在导电固体两头之间建立第三电位来遏抑两头之间的电流流动。

鼓励晶体管翻新

诚然由于材料适度，利利菲尔德无法制造出功能原型，但他的念念法撑抓了现在的大部分晶体管时间。

20 世纪 40 年代，贝尔实验室的科学家约翰·巴丁 (John Bardeen)、沃尔特·布拉顿 (Walter Brattain) 和威廉·肖克利 (William Shockley) 开发出第一批实用晶体管时，由于利利菲尔德先前的专利，他们在专利权方面遭遇了挑战。利利菲尔德的 FET 类器件迫使他们更正筹画和秩序。他的专利在他们的法律纠纷中被援用，并成为分解晶体管旨趣的早期蓝图。举例，利利菲尔德的表面展示了固态器件如安在莫得真空管的情况下放大和遏抑电流。尽管材料和制造时间花了几十年的时候才赶上，但他的成见为实用晶体管的发展奠定了基础。

尽管利利菲尔德的孝敬在生前鲜为东谈主知，但他的孝敬却跟着晶体管时间的创新而络续扩大。如今，好意思国物理学会于 1988 年树立的尤利乌斯·埃德加·利利菲尔德奖旨在赏赐那些作念出要紧孝敬并在向公众传播科学方面说明出色的物理学家。

利利菲尔德于 1963 年 8 月死一火，享年 81 岁。

https://www.allaboutcircuits.com/news/how-engineer-julius-edgar-lilienfeld-laid-groundwork-modern-fets/

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