快科技2月26日音讯，好意思光晓谕，基于最新1γ纳米工艺的DDR5 DRAM内存芯片仍是投产，性能、能效、密度等各项规画皆大幅进步。

DRAM内存行业的节点工艺一直不标注具体数值，而是1a、1b、1c、1α、1β、1γ这么的迭代持法，越来越先进，其中1a比拟接近20nm，1γ则接近10nm。

这是好意思光内存第一次用上EUV极紫外光刻工艺，而三星、SK海力士早就用了，不外好意思光此次同期还引入了下一代HKMG金属栅极技艺，瞻望全新的BEOL后端工序。

不外好意思光莫得透露使用了若干EUV光刻层，算计现在仅仅在错误层上用EUV，不然就得多重曝光，加多时刻和老本。

好意思光的1γ DDR5单颗容量为16Gb(2GB)，不错落拓构成单条容量128GB的企业级产物，堪称容量密度比1β的再次加多30％，事实上之前每代进步工艺皆能加多30％的密度。

它只需要1.1V的法式电压，就能达到9200MHz(严格来说是9200MT/s)的超高频率，而现在市面上常见的高频内存常常得1.35V致使1.45V的高电压。

更低的电压不但更安全，还能省俭功耗，堪称比1β工艺的最多裁减20％。

现在，好意思光1γ DDR5内存只在日本工场坐褥，后续会迟缓扩大产能，揣度产物瞻望本年年中傍边上市。

未来，好意思光在中国台湾的工场也会引入EVU，并使用1γ工艺制造GDDR7显存、LPDDR 5X高频内存(最高9600MHz)。